LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究(3)

LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究

第１０期余大海，等：ＬＥＤ芯片封装工艺中焊接缺陷研究

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导通电阻Ｒ，。大，因此，图中电容ｃ，ｃｉ和Ｒｉ均可略去。

处存在污染物时，引入了附加电阻ｚ，由式（１０）知，附加电

此时，ＬＥＤ注入电流，可以表示为隅］

阻ｚ使得短路电流，。小于光生电流，，，从而导致测得的缺

，＿Ｌｅｘｐ馨，

（７）

陷焊接ＬＥＤ芯片的光生电流比正常焊接时明显减小。

２而蕞玑，

从实验结果和等效电路分析可以看出：ＬＥＤ正电极的

Ｕｐｎ

（８）

油污焊接会使其发光强度和测得的光生电流均小于正常情况，严重影响ＬＥＤ性能。因此，在ＬＥＤ封装工艺中对其焊式中Ｌ为与ＰＮ结材料相关的电流常数；Ｕｐ。为施加在ＰＮ接缺陷进行检测和消除是十分必要的。结上的电压；ｇ为电子电量；ｋ为玻耳兹曼常数；Ｔ为热力学

３结束语

温度；ｎ为１－２之间随电流，增加而减小的值。

本文分析了ＬＥＤ封装工艺中污染物焊接缺陷的成因由式（７）可知，，ｏｃｅｘｐ（玑。／ｎ），其中，１≤ｎ≤２。由于与危害，测量了以油污焊接缺陷为实例的ＬＥＤ光电特性，ＬＥＤ发光强度￡ｏｃｒ（ｎ为正整数），由式（８）和上述分析可并利用缺陷ＬＥＤ等效电路对实验结果进行了分析，理论与得，Ｌ随污染物电阻月增加而减小，从而导致缺陷焊接比正

实验吻合较好。研究ＬＥＤ封装工艺中的焊接缺陷，分析其

常焊接时的ＬＥＤ发光强度有所下降。与正常情况下光电特性的差异，对提出ＬＥＤ在线检测方法２．３光生电流测量与分析

利用０．５Ｗ引脚式白光ＬＥＤ作为激励源，接入３Ｖ直

具有指导作用，从而可提高ＬＥＤ的封装成品率和元件的可

靠性。流电源和５０Ｑ限流电阻器，光线经孔径２０ｍｍ短焦距透镜聚焦后照射待测ＬＥＤ芯片，采用ＥＳＴｌ２２微电流计测量参考文献：

ＬＥＤ芯片的光生电流。正常焊接时光生电流为１６３ｎＡ，而［１］

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短路电流丘可表示为

［４］

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（９）

，，

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ＤＡ，ＴａｕｒＹ，ｅｔ

ａ１．Ｑｕａｎｔｕｍ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｍｏｄｅ－

ｌｉｎｇｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｔｕｎｎｅｌｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔ

ｆｒｏｍｔｈｅ

ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ

ｌａｙｅｒ

ｏｆｕｌｔｒａ—

图４焊接缺陷ＬＥＤ光伏效应等效电路图

ｔｈｉｎ．ｏｘｉｄｅ

Ｆｉｇ

４

ＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｅｆｆｅｃｔｅｑｌｌｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｏｆｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔＬＥＤ

ｎＭＯＳＦＥＴ’Ｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥＥｌｅｃ

Ｄｅｖ

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通常情况，％。不足以导通ＰＮ结，，Ｐ》，Ｄ，，ｏ可略去。２０９－－２１１．

一般Ｒ。《互，由式（９）可得

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（１０）

作者简介：

在实验中，正常焊接时，由于无附加电阻ｚ的引入，此余大海（１９８２一），男，重庆人，硕士研究生，主要研究方向为信时，可以认为测得的短路电流，。就是光生电流‘。而焊点

号获取与处理和精密仪器。

℃Ｐ它尹ｑ≯＋屯Ｐ屯Ｐ吨Ｐ屯尹它Ｐ℃）ｐｕ）ｐｕ；ｐ℃）ｐｑＰ峙Ｐ吣Ｐ℃Ｐ℃；ｐ吣Ｐ峙Ｐ℃≯‘ｑ；ｐｋ；一ＹｊＰ吨Ｐ℃；一ｔ；一ｑｊ一℃Ｐ吨Ｐ℃ＰｕＰ乜Ｐ乜Ｐ吣Ｐ吨Ｐ吨Ｐ吨Ｐ毡Ｐ吣Ｐｔ）ｐ℃Ｐ峙ＰｕＰｑＰ℃，峙，

（上接第５４页）

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作者简介：

Ｅ５］

卫

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张振洪（１９６４一），男，山东诸城人，硕士，讲师，研究方向为电器［Ｊ］．传感器技术，２００３，２２（１２）：６０—６２．

气设备故障诊断与处理等。