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tvs二极管的基础知识

发布时间:2024-11-12   来源:未知    
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TVS二极管的基础知识

(6)瞬态电压抑制器

TVS (Transient Voltage Suppresser 瞬态电压抑制器) 二极管和 MLV(Multi-Layer Varistor,多层变阻器)等 ESD 保护器是近几年发展起来的一种固态二极管,专门用于 ESD 保护。

TVS 二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极 管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过 热烧毁。由于 TVS 二极管的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理 想的保护作用。

改进后的 TVS 二极管还具有适应低压电路(<5 V)的特点,且封装集成度高,适 用于在印制电路板面积紧张的情况下使用。很低的箝位电压,经过多次 ESD 过程后不会 劣化.这些特点决定了它有广泛的适用范围,尤其在高档便携设备的接口电路中有很好 的使用价值。

由于 TVS 响应时间远小于 1ns,能够迅速地将 ESD 故障电流放电到接地端,而且其 漏电流和结电容都很低,要测量其响应就要用快速脉冲发生器-TLP 脉冲发生器。右图 是其测试的特性图。

瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)简称 TVS,是一种二极管形式

的高效能保护器件,有的文献上也为 TVP、AJTVS、SAJTVS 等。

当 TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以 10-12 秒量级的速度, 将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位 于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。 由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较

易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电 源、家用电器等各个领域。具体有以下三大特点:

1、将 TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲, 如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。

2、静电放电效应能释放超过 10000V、60A 以上的脉冲,并能持续 10ms;而一般的

TTL 器件,遇到超过 30ms 的 10V 脉冲时,便会导至损坏。利用 TVS 二极管,可有效吸

收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。

3、将 TVS 二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪 音影响。

一、TVS 的特性及主要参数

1、TVS 的特性曲线

TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特 性为典型的 PN 结雪崩器件。

在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS 的电流,由原来的反向漏电流 ID 上升到 IR

时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压 VWM 上升到击穿电压 VBR,TVS 被击穿。随

着峰值脉冲电流的出现,流过 TVS的电流达到峰值脉冲电流 IPP。在其两极的电压被箝 位到预定的最大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS 两极的电压也不 断下降,最后恢复到起始状态。这就是 TVS 抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子 元器件的整个过程。

TVS二极管的基础知识

2、TVS 的特性参数

①最大反向漏电流 ID 和额定反向关断电压 VWM。VWM 是 TVS 最大连续工作的直流或

脉冲电压,当这个反向电压加入 TVS 的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电 流应小于或等于其最大反向漏电流 ID。

②最小击穿电压 VBR 和击穿电流 IR

VBR 是 TVS 最小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS 是不导通的。当 TVS 流 过规定的 1mA 电流(IR)时,加入 TVS 两极间的电压为其最小击穿电压 VBR。按 TVS 的 VBR 与标准值的离散程度,可把 TVS 分为±5%VBR 和平共处±10% VBR 两种。对于

±5%VBR 来说,VWM=0.85VBR;对于±10% VBR 来说,VWM=0.81 VBR。 ③最大箝拉电压 VC 和最大峰值脉冲电流 IPP

当持续时间为 20 微秒的脉冲峰值电流 IPP 流过 TVS 时,在其两极间出现的最大峰

值电压为 VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP 反映了 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与 VBR 之比称为箝位因子,一般在 1.2~1.4 之间。

④电容量 C

电容量 C 是 TVS 雪崩结截面决定的、 在特定的 1MHZ 频率下测得的。 C 的大小与 TVS

的电流承受能力成正比,C 过大将使信号衰减。因此,C 是数据接口电路选用 TVS 的重 要参数。

⑤最大峰值脉冲功耗 PM

PM 是 TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种 TVS 的 PM 值,请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下,功耗 PM 越大,其浪涌电流的 承受能力越大;在给定的功耗 PM 下,箝位电压 VC 越低,其浪涌电流的承受能力越大。 另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且 TVS 所能承 受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为 0.01%,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的“累积”,有可能使 TVS 损坏。 ⑥箝位时间 TC

TC 是从零到最小击穿电压 VBR 的时间。对单极性 TVS 小于 1×10-12 秒;对双极性 TVS 小于是 1×10-11 秒。

二、TVS 二极管的分类

TVS 器件可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通

用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如:各种交流电压保护器、4~200mA 电流环保 器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为: 轴向引线二极管、双列直插 TVS 阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功 率模块式等。

三、TVS 的选用技巧

1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端” 容限。

2、 TVS 额定反向关断 VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。 若选用的VWM 太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压, 并行连接分电流。

3、TVS 的最大箝位电压 VC 应小于被保护电路的损坏电压。

TVS二极管的基础知识

4、在规定的脉冲持续时间内,TVS 的最大峰值脉冲功耗 PM 必须大于被保护电路内 可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪 涌电流。

5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容 C 的 TVS 器件。

6、根据用途选用 TVS 的极性及封装结构。交流电路选用双极性 TVS 较为合理;多 线保护选用 TVS 阵列更为有利。

7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要 TVS 在一

个变化的温度工作,由于其反向漏电流 ID 是随增加而增大;功耗随 TVS 结温增加而下 降,从+25℃到+175℃,大约线性下降 50%雨击穿电压 VBR 随温度的增加按一定的系数 增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。

8、美国 ProTek 公司提供的 TVS 二极管,有下列不同的功率选择:

500W:SA 系列

600W:P6KE、SMBJ 系列

1500W:1N5629~1N6389、1.5KE、LC、LCE 系列

5000W:5KP 系列

15000W:15KAP、15KP 系列

四、TVS 与压敏电阻的比较

目前,国内不少需进行浪涌保护的设备上使用的是压敏电阻。压敏电阻是一种金

属化物变阻器。TVS 比压敏电阻的特性优越得多,具体特性参数的比较如下表所示。今 年压敏电阻具有响应速度更快、无极性、成本低等优点。

关键参数或极限值 TVS 压敏电阻

反应速度 10-12s 5×10-8

有否老化现象 否 有

最高使用温度 175℃ 115℃

元件极性 单极性与双极性 单极性

反向漏电流典型值 5Μa 200μA

箝位因子(VC/VBR) ≤1.5 ≥7~8

密封性质 密封不透气 透气

价格 较贵 便宜

一、二极管的选用常识

选用二极管要注意的几个方面:

(1)正向特性

另在二极管两端的正向电压(P 为正、N 为负)很小时(锗管小于 0.1 伏,硅管小

于 0.5 伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通, 电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线 I 段)。不同材料的二极管,起始电压不同, 硅管为 0.5-.7 伏左右,锗管为 0.1-0.3 左右。

(2)反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流

基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线 II 段)。不同材料的二极管, 反向电流大小不同,硅管约为 1 微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反 向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

(3)击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见

TVS二极管的基础知识

曲线 III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子, 其反向击穿电压值差异很大,可由 1 伏到几百伏,甚至高达数千伏。

(4)频率特性

由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使 PN 结短路。导致二极管 失去单向导电性,不能工作,PN 结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工 作。

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