晶体硅太阳电池设计-扩散基础(6)

晶体硅太阳电池设计-扩散基础

㈢ 扩散层薄层电阻的测试

硅片表面扩散层的薄层电阻可用四探针法测量。测量装置如下图所示。测量头是由彼此相距为s的钨丝探针组成，针尖要在同一平面同一直线上。测量时，将探针压在硅片的表面，外面两根探针通电流I，测量中间两根探针间的电压V。薄层电阻为：

C 称做修正因子，其数值的大小除与样品形状和大小有关，还与样品是单层扩散还是双层扩散等因素有关。

7、 扩散温度与时间

扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散的情况，温度选择要适当，既不能使温度过高，使扩散时间过短，以致难于控制工艺，又不宜温度过低，而使扩散时间延长到不适当的地步，但是扩散的温度较高，这对结深和硅片的少子寿命影响比较大，导致转换效率大幅度降低，所以在制备晶体硅太阳电池还是要避免太高的扩散温度，我们现在的扩散温度一般控制在830-870度之间。。

在一定的温度下，扩散时间与结深的关系如图7-1所示。在恒定表面浓度扩散时，时间增加 t，扩散进入硅中的杂质总量Q相应增加，结深增加了 xj。在恒量表面杂质源扩散时，扩散进入硅中的杂质总量Q始终不变，扩散时间增加，表面浓度Ns下降，结深增加。