单相全桥逆变电路讲解
首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 重要性:找工作面试、考研面试和在以后工作 重要性 中都是很好的基础,起到良好的作用。 以此为基点,展开,引用李泽元 李泽元老师的话: 李泽元 “现在知识面很宽很大,不可能面面具到,且 搞的人很多,要找一个自已感兴趣的点,深入 研究,动手实践做实验,在实验中发现问题和 解决问题,然后再扩展。”
首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 必要性:这个电路的选取有代表性,由于桥式 必要性 逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍 低,并有较高的功率输出,现通常采用全桥式 逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥 逆变电路应用范围广(各种开关电源如电源车 载电源、航空电源、电信电源等;各种电机调 速如空调、电焊机等;变频器;牵引传动等领 域)。
整体安排一、基础知识讲解(计划两至三个半天) 基础知识讲解(计划两至三个半天)
开关管(MOSFET和IGBT)知识、电阻 电容等基本知识、芯片 管脚功能(IR2110 、 SG3525、LM339、 MUR8100 、IRFP450 )
主电路、控制电路的工作原理、参数的 确定
整体安排二、PROTEL介绍 、原理图绘制(计划三个半天) 介绍 原理图绘制(计划三个半天) 两个图,主电路和控制电路(各1.5个半天) 初步认识元器件封装,画原理图尽量选正确的封 装 三、 生成 生成PCB、手动布线(计划两个半天) 、手动布线(计划两个半天) 两个PCB图,主电路和控制电路(各一个半天) 认真核对元器件封装,检查PCB的各种规则
整体安排四、焊板调试 (计划两个半天) PCB画好后,制板需要一周左右的时间,可休 息) 在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀 调试需要两个半天或更长时间,调好为止,完 成后将自已的作品带走。 以上时间可随工作进展情况调节
晶闸管) 基础知识介绍 (晶闸管)晶闸管:只能控制开,不能控制关
晶闸管) 基础知识介绍 (晶闸管)
基础知识介绍 (MOSFET) )MOSFET:可控开,可控关 可控开, 可控开 什么是MOSFET 什么是 是英文MetalOxide Semicoductor “MOSFET”是英文 是英文 Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属 的缩写, 的缩写 译成中文是“ 氧化物半导体场效应管” 它是由金属、 氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物 (SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功 及半导体三种材料制成的器件。 或 及半导体三种材料制成的器件 率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工 是指它能输出较大的工 作电流(几安到几十安 用于功率输出级的器件。 几安到几十安), 作电流 几安到
几十安 ,用于功率输出级的器件。
基础知识介绍 (MOSFET) )MOSFET的结构 的结构
基础知识介绍 (MOSFET) )MOSFET体内电容和二极管
基础知识介绍 (MOSFET) )为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作 用? MOS导通瞬间,由于D、S近似短路,G、D间电 容可看作变成G、S间电容,G极驱动电路立刻 对其进行充电,这样就产生了驱动电压振荡现 象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,一般 情况下阻值较小, 过高的振荡有可能击穿G,S 间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振 荡
基础知识介绍 (MOSFET) )为什么MOSFET G-S之间往往并联一个电阻, 这个电阻选择依据什么?这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS,静电 损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即 使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压, 使的 MOSFET损坏,这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 , 这个电阻是需要的,并且很重要 。 一般情况,取个10k或5.1K已能适应大部分情况
基础知识介绍 (IGBT) )IGBT:可控开,可控关 可控开, 可控开
基础知识介绍 (IGBT) )IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双 极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅 型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压 降两方面的优点,(输入极为MOSFET,输出极为 PNP晶体管 ) GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大, 载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,即: 驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优 点。
基础知识介绍 (IGBT) )IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同 IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于 GTR。 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变 流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明 电路、牵引传动等领域。 IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件
电阻) 基础知识介绍 (电阻)电阻:导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用 电阻 符号R 表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别 用 、k 、M 表示。 电阻器的分类 一种分类:固定电阻器(R)、电位器(W)、 敏感电阻器、贴片电阻器
电阻) 基础知识介绍 (电阻)另一种分类如下: 1、线绕电阻器:通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大 功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜 电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻 璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器:无机合成实心碳质电阻器、有机合成实 心碳质电阻器。 4、敏感电阻器:压敏电阻器、热敏
电阻器、光敏电阻器、 力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
电阻) 基础知识介绍 (电阻)电阻主要特性参数:标称阻值 、允许误差 、额定功 率、额定电压 、最高工作电压、温度系数 、老化系 数、电压系数 、噪声 等。 1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。 2、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。 3、最高工作电压:允许的最大连续工作电压。在低气压 工作时,最高工作电压较低。 4、温度系数 :阻值随温度升高而增大的为正温度系数, 反之为负温度系数。
电阻) 基础知识介绍 (电阻)5.额定功率 :在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境 温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所 允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、 1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、 150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、 1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 固定电阻器额定功率标称系列为:1/8、1/4、1/2、1、 2、5、10W,小电流电路一般采用1/8、1/4、1/2的电 阻器,而大电流电路中的常采用1W以上的电阻器。
电阻) 基础知识介绍 (电阻)电阻器额定功率的识别 方法一:对于标注了功率的电阻器,可根据标注 的功率值来识别功率大小,如“10W330RJ” ±5 表示额定功率为10W,阻值为330,误差 % 。 方法二:对于没有标注功率的电阻器,可根据长 度和直径来判别其功率大小。长度和直径越大, 功率越大。见下表: