模拟电路第一章课后习题答案(6)

模拟电子技术基础简明教程 高等教育出版社 杨素行主编

◇ 习题 1-11 设某三极管在20OC时的反向饱和电流ICBO 1 A, 30；试估算该管在50OC时

的ICBO和穿透电流ICEO大致等于多少。已知每当温度升高10OC时，ICBO大约增加一倍，而每当温度升高1OC时， 大约增大1％。

解：

20OC时，ICEO (1 )ICBO (1 30) 1 A 31 A；

ICBO 8 A,

50OC时， 30 30 30% 39

ICEO (1 )ICBO (1 39) 8 A 320 A

本题的意图时理解当温度升高时三极管的ICBO将急剧增大， 也将增大，因而ICEO将更为急剧增大。

◇ 习题 1-12 一个实际的PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线图P1－12(a)和(b)所示。 ① 查看该三极管的穿透电流ICEO约为多大，输入特性的死区电压约为多大。

② 为了使PNP型三极管工作在放大区，其uBE和uCE的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN型三极管作比较。

解：

① 由图可见，该PNP三极管的约为0.4mA，死区电压约为-0.2V。

② 无论NPN或PNP三极管，工作在放大区的外部直流偏置条件均为发射结正向偏置，急电结反向偏置。而对PNP三极管来说，应为uBE<0，uBC>0。

本题的意图是了解PNP三极管的特性曲线，以及PNP三极管工作在放大区的条件。

◇ 习题 1-13 测得某电路中几个三极管的各极电位如图P1－13所示，试判断各三极管分别工作在截止区，放大区还是饱和区？

解：

(a) 在图(a)中，UBE=0.7V，UBC=－4.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (b) 在图(b)中，UBE=－10V，UBC=－10V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (c) 在图(c)中，UBE=0.7V，UBC=－5.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (d) 在图(d)中，UBE=0.75V，UBC=0.45V，即发射结、集电结均正偏，故三极管工作在饱和区。 (e) 在图(e)中，UBE=0.3V，UBC=5.3V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (f) 在图(f)中，UBE=－0.3V，UBC=0，即UCE=UBE，发射结正偏，集电结电压为0，故三极管工作在临界饱和状态。

(g) 在图(g)中，UBE=－0.3V，UBC=8.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (h) 在图(h)中，UBE=－0.3V，UBC=3.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。

本题的意图是训练根据各极电位判断三极管工作在什么区，深入理解三极管截止区、放大区和饱和区的特点。