BIOS工作原理1(5)

BIOS工作原理

和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围：

电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流输入电流 IIN 士10 mA(DC)

输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 wm

工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封） OC

存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 0C

输入/输出信号规则

所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。

在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。

避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。

CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。

CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。 主要封装形式

双列直插（DIP封装）

扁平封装（PLCC封装）