SiC衬底的刻蚀方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN110534424A

（43）申请公布日 2019.12.03（21）申请号CN201810857556.0

（22）申请日2018.07.31

（71）申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

（72）发明人刘海鹰

（74）专利代理机构北京思创毕升专利事务所

代理人孙向民

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

SiC衬底的刻蚀方法

（57）摘要

一种SiC衬底的刻蚀方法，刻蚀在反应腔

室内进行，刻蚀方法交替执行刻蚀步骤和副产物

排出步骤；在刻蚀步骤，对设于反应腔室内的

SiC衬底进行刻蚀；在副产物排出步骤，排出反

应腔室内的反应副产物。该刻蚀方法能够降低反

应副产物在反应腔室侧壁和介质窗表面沉积的可

能，设备的清洗维护周期被大幅延长，降低设备

的维护难度和工作量。

法律状态