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固体物理考试习题大全

发布时间:2024-11-21   来源:未知    
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大学生固体物理课程题库!!!!!

晶体结构 20 分

晶体衍射 10 分

晶格振动 20分

与晶体的热学性质 18分

能带理论和晶体中电子在电场磁场中的运动 36 分

金属电子论和半导体电子论 5—10分

1. 晶体的微观结构、原胞、W-S原胞、惯用单胞的概念、常见的晶体结构、晶面与晶向的概念,并能进行必要的计算;倒格子与布里渊区、晶体X射线衍射,能计算几何结构因子和衍射极大条件。

2. 晶体结合的普遍特性;离子键结合和范德瓦耳斯结合的结合能计算。

3. 简谐近似和最近邻近似,双原子链的晶格振动;周期边界条件,晶格振动的量子化与声子,色散关系;爱因斯坦模型和德拜模型,晶体的比热,零点振动能计算。

4. 经典自由电子论:电子运动方程,金属的直流电导,霍耳效应,金属热导率。量子自由电子论:能态密度,费米分布,费米能级,电子热容量。

5. 布洛赫定理及其证明;近自由电子近似的思想一维和二维近自由电子近似的能带计算,紧束缚近似的思想,紧束缚近似的计算(S能带的的色散关系)。理解半导体Ge、Si的能带结构。

6.波包的准经典运动概念,布洛赫电子的速度,加速度和有效质量和相应的计算,空穴的概念;导体、半导体和绝缘体的能带解释,原子能级和能带的对应;朗道能级,回旋共振,德×哈斯—范×阿尔芬效应,碱金属和贵金属的费米面。

7.分布函数法和恒定外电场下玻耳兹曼方程的推导。理解电子声子相互作用,晶格散射和电导,电阻的来源。

8. 半导体基本的能带结构,半导体中的施主和受主杂质,P型半导体和N型半导体,半导体中的费米统计分布。PN结平衡势垒。

1.1 在结晶学中, 晶胞是按晶体的什么特性选取的?

在结晶学中, 晶胞选取的原则是既要考虑晶体结构的周期性又要考虑晶体的宏观对称性.

1.2六角密积属何种晶系? 一个晶胞包含几个原子?

六角密积属六角晶系, 一个晶胞(平行六面体)包含两个原子.

1.3在晶体衍射中,为什么不能用可见光?

晶体中原子间距的数量级为10

10 10米,要使原子晶格成为光波的衍射光栅,光 7波的波长应小于10米. 但可见光的波长为7.6 4.0 10米, 是晶体中原子

间距的1000倍. 因此, 在晶体衍射中,不能用可见光.

2.1共价结合, 两原子电子云交迭产生吸引, 而原子靠近时, 电子云交迭会产

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生巨大的排斥力, 如何解释?

共价结合, 形成共价键的配对电子, 它们的自旋方向相反, 这两个电子的电子云交迭使得体系的能量降低, 结构稳定. 但当原子靠得很近时, 原子内部满壳层电子的电子云交迭, 量子态相同的电子产生巨大的排斥力, 使得系统的能量急剧增大.

2.2为什么许多金属为密积结构?

金属结合中, 受到最小能量原理的约束, 要求原子实与共有电子电子云间的库仑能要尽可能的低(绝对值尽可能的大). 原子实越紧凑, 原子实与共有电子电子云靠得就越紧密, 库仑能就越低. 所以, 许多金属的结构为密积结构.

3.1什么叫简正振动模式?简正振动数目、格波数目或格波振动模式数目是否是一回事?

为了使问题既简化又能抓住主要矛盾,在分析讨论晶格振动时,将原子间互作用力的泰勒级数中的非线形项忽略掉的近似称为简谐近似. 在简谐近似下, 由N个原子构成的晶体的晶格振动, 可等效成3N个独立的谐振子的振动. 每个谐振子的振动模式称为简正振动模式, 它对应着所有的原子都以该模式的频率做振动, 它是晶格振动模式中最简单最基本的振动方式. 原子的振动, 或者说格波振动通常是这3N个简正振动模式的线形迭加.

简正振动数目、格波数目或格波振动模式数目是一回事, 这个数目等于晶体中所有原子的自由度数之和, 即等于3N.

3.2长光学支格波与长声学支格波本质上有何差别?

长光学支格波的特征是每个原胞内的不同原子做相对振动, 振动频率较高, 它包含了晶格振动频率最高的振动模式. 长声学支格波的特征是原胞内的不同原子没有相对位移, 原胞做整体运动, 振动频率较低, 它包含了晶格振动频率最低的振动模式, 波速是一常数. 任何晶体都存在声学支格波, 但简单晶格(非复式格子)晶体不存在光学支格波.

3.3温度一定,一个光学波的声子数目多呢, 还是声学波的声子数目多?

频率为 的格波的(平均) 声子数为

n( ) 1

e /kBT 1.

/kT /kT因为光学波的频率 O比声学波的频率 A高, (eOB 1)大于(eAB 1),

所以在温度一定情况下, 一个光学波的声子数目少于一个声学波的声子数目.

3.4长声学格波能否导致离子晶体的宏观极化?

长光学格波所以能导致离子晶体的宏观极化, 其根源是长光学格波使得原胞内不同的原子(正负离子)产生了相对位移. 长声学格波的特点是, 原胞内所有的原子没有相对位移. 因此, 长声学格波不能导致离子晶体的宏观极化.

3.5你认为简单晶格存在强烈的红外吸收吗?

实验已经证实, 离子晶体能强烈吸收远红外光波. 这种现象产生的根源是离子晶体中的长光学横波能与远红外电磁场发生强烈耦合. 简单晶格中不存在光学波, 所以简单晶格不会吸收远红外光波.

3.6爱因斯坦模型在低温下与实验存在偏差的根源是什么?

按照爱因斯坦温度的定义, 爱因斯坦模型的格波的频率大约为10Hz, 属于光学支频率. 但光学格波在低温时对热容的贡献非常小, 低温下对热容贡献大的主要是长声学格波. 也就是说爱因斯坦没考虑声学波对热容的贡献是爱因斯坦模型在低温下与实验存在偏差的根源. 13

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3.7在甚低温下, 德拜模型为什么与实验相符?

在甚低温下, 不仅光学波得不到激发, 而且声子能量较大的短声学格波也未被激发, 得到激发的只是声子能量较小的长声学格波. 长声学格波即弹性波. 德拜模型只考虑弹性波对热容的贡献. 因此, 在甚低温下, 德拜模型与事实相符, 自然与实验相符.

4.1 波矢空间与倒格空间有何关系? 为什么说波矢空间内的状态点是准连续的?

b2、 b3, 而波波矢空间与倒格空间处于统一空间, 倒格空间的基矢分别为b1、

b2/N2、 b3/N3, N1、N2、N3分别是沿正格子基矢矢空间的基矢分别为b1/N1、

a1、 a2、 a3方向晶体的原胞数目.

倒格空间中一个倒格点对应的体积为

b1 ( b2 b3) *,

波矢空间中一个波矢点对应的体积为

b3b1b2 *

( ) N1N2N3N,

即波矢空间中一个波矢点对应的体积, 是倒格空间中一个倒格点对应的体积的1/N. 由于N是晶体的原胞数目, 数目巨大, 所以一个波矢点对应的体积与一个倒格点对应的体积相比是极其微小的. 也就是说, 波矢点在倒格空间看是极其稠密的. 因此, 在波矢空间内作求和处理时, 可把波矢空间内的状态点看成是准连续的.

4.2在布里渊区边界上电子的能带有何特点?

电子的能带依赖于波矢的方向, 在任一方向上, 在布里渊区边界上, 近自由电子的能带一般会出现禁带. 若电子所处的边界与倒格矢Kn正交, 则禁带的宽度Eg 2(Kn), V(Kn)是周期势场的付里叶级数的系数.

不论何种电子, 在布里渊区边界上, 其等能面在垂直于布里渊区边界的方向上的斜率为零, 即电子的等能面与布里渊区边界正交

4.3当电子的波矢落在布里渊区边界上时, 其有效质量何以与真实质量有显著差别?

晶体中的电子除受外场力的作用外, 还和晶格相互作用. 设外场力为F, 晶格对电子的作用力为Fl, 电子的加速度为

a 1(F Fl)m.

但Fl的具体形式是难以得知的. 要使上式中不显含Fl, 又要保持上式左右恒等, 则只有

a 1Fm*.

显然, 晶格对电子的作用越弱, 有效质量m*与真实质量m的差别就越小. 相反, 晶格对电子的作用越强, 有效质量m*与真实质量m的差别就越大. 当电子的波矢落在布里渊区边界上时, 与布里渊区边界平行的晶面族对电子的散射作用最强烈. 在晶面族的反射方向上, 各格点的散射波相位相同, 迭加形成很强的反射波. 正因为在布里渊区边界上的电子与晶格的作用很强, 所以其有效质量与真实质量有显著差别

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4.4电子的有效质量m变为 的物理意义是什么?

仍然从能量的角度讨论之. 电子能量的变化

(dE)外场力对电子作的功(dE)外场力对电子作的功(dE)晶格对电子作的功 mmm*

1 (dE)外场力对电子作的功 (dE)电子对晶格作的功 m.

从上式可以看出,当电子从外场力获得的能量又都输送给了晶格时, 电子的有效质量m变为 . 此时电子的加速度

a 1F 0m*, **

即电子的平均速度是一常量. 或者说, 此时外场力与晶格作用力大小相等, 方向相反.

4.5紧束缚模型下, 内层电子的能带与外层电子的能带相比较, 哪一个宽? 为什么?

以s态电子为例. 由图5.9可知, 紧束缚模型电子能带的宽度取决于积分Js的大小, 而积分

Rn)的交迭程度. 紧束缚模型下, 内的大小又取决于 与相邻格点的

atatatat层电子的 s(r)与 s(r Rn)交叠程度小, 外层电子的 s(r)与 s(r Rn)交迭ats(r)ats(rJs N sat(r)[V(r) Vat(r Rn)] sat(r Rn)dr*

程度大. 因此, 紧束缚模型下, 内层电子的能带与外层电子的能带相比较, 外层电子的能带宽.

4.6等能面在布里渊区边界上与界面垂直截交的物理意义是什么?

将电子的波矢k分成平行于布里渊区边界的分量k//和垂直于布里渊区边界的分量k┴. 则由电子的平均速度

kE(k)1

得到

1 E

k//,

1 E k . //

等能面在布里渊区边界上与界面垂直截交, 则在布里渊区边界上恒有 E/ k =0, 即垂直于界面的速度分量 为零. 垂直于界面的速度分量为零, 是晶格对电子产生布拉格反射的结果. 在垂直于界面的方向上, 电子的入射分波与晶格的反射分波干涉形成了驻波.

5.1一维简单晶格中一个能级包含几个电子?

设晶格是由N个格点组成, 则一个能带有N个不同的波矢状态, 能容纳2N个电子. 由于电子的能带是波矢的偶函数, 所以能级有(N/2)个. 可见一个能级上包含4个电子.

5.2本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同?

在低温下, 本征半导体的能带与绝缘体的能带结构相同. 但本征半导体的禁带

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较窄, 禁带宽度通常在2个电子伏特以下. 由于禁带窄, 本征半导体禁带下满带顶的电子可以借助热激发, 跃迁到禁带上面空带的底部, 使得满带不满, 空带不空, 二者都对导电有贡献.

6.1你是如何理解绝对零度时和常温下电子的平均动能十分相近这一点的?

自由电子论只考虑电子的动能. 在绝对零度时, 金属中的自由(价)电子, 分布在费密能级及其以下的能级上, 即分布在一个费密球内. 在常温下, 费密球内部离费密面远的状态全被电子占据, 这些电子从格波获取的能量不足以使其跃迁到费密面附近或以外的空状态上, 能够发生能态跃迁的仅是费密面附近的少数电子, 而绝大多数电子的能态不会改变. 也就是说, 常温下电子的平均动能与绝对零度时的平均动能一定十分相近.

6.2为什么温度升高, 费密能反而降低?

当T 0时, 有一半量子态被电子所占据的能级即是费密能级. 温度升高, 费密面附近的电子从格波获取的能量就越大, 跃迁到费密面以外的电子就越多, 原来有一半量子态被电子所占据的能级上的电子就少于一半, 有一半量子态被电子所占据的能级必定降低. 也就是说, 温度升高, 费密能反而降低.

6.3为什么价电子的浓度越大, 价电子的平均动能就越大?

由于绝对零度时和常温下电子的平均动能十分相近,我们讨论绝对零度时电子的平均动能与电子浓度的关系.

价电子的浓度越大价电子的平均动能就越大, 这是金属中的价电子遵从费密-狄拉克统计分布的必然结果. 在绝对零度时, 电子不可能都处于最低能级上, 而是在费密球中均匀分布. 由(6.4)式

0kF (3n 2)1/3

可知, 价电子的浓度越大费密球的半径就越大,高能量的电子就越多, 价电子的平均动能就越大. 这一点从(6.5)和(6.3)式看得更清楚. 电子的平均动能E正

02/3EF比与费密能, 而费密能又正比与电子浓度n:

2/3 2 E 3n 2 2m, 0F

2/3303 2

E EF 3n 2

510m.

所以价电子的浓度越大, 价电子的平均动能就越大.

6.4对比热和电导有贡献的仅是费密面附近的电子, 二者有何本质上的联系?

对比热有贡献的电子是其能态可以变化的电子. 能态能够发生变化的电子仅是费密面附近的电子. 因为, 在常温下, 费密球内部离费密面远的状态全被电子占据, 这些电子从格波获取的能量不足以使其跃迁到费密面附近或以外的空状态上, 能够发生能态跃迁的仅是费密面附近的电子, 这些电子吸收声子后能跃迁到费密面附近或以外的空状态上.

对电导有贡献的电子, 即是对电流有贡献的电子, 它们是能态能够发生变化的电子. 由(6.79)式

f f0

可知, 加电场后,电子分布发生了偏移. 正是这偏移

f0e (v ) E f0e (v ) E

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部分才对电流和电导有贡献. 这偏移部分是能态发生变化的电子产生的. 而能态

能够发生变化的电子仅是费密面附近的电子, 这些电子能从外场中获取能量, 跃迁到费密面附近或以外的空状态上. 而费密球内部离费密面远的状态全被电子占拒, 这些电子从外场中获取的能量不足以使其跃迁到费密面附近或以外的空状态上. 对电流和电导有贡献的电子仅是费密面附近电子的结论从(6.83)式

e2

jx 24 SF2 vx

和立方结构金属的电导率

e2

24 dS x kE SF2 vx

看得更清楚. 以上两式的积分仅限于费密面, 说明对电导有贡献的只能是费密面附近的电子.

总之, 仅仅是费密面附近的电子对比热和电导有贡献, 二者本质上的联系是: 对比热和电导有贡献的电子是其能态能够发生变化的电子, 只有费密面附近的电子才能从外界获取能量发生能态跃迁.

6.5为什么价电子的浓度越高, 电导率越高?

电导 是金属通流能力的量度. 通流能力取决于单位时间内通过截面积的电子数(参见思考题18). 但并不是所有价电子对导电都有贡献, 对导电有贡献的是费密面附近的电子. 费密球越大, 对导电有贡献的电子数目就越多. 费密球的大小取决于费密半径

kF (3n 2)1/3.

可见电子浓度n越高, 费密球越大, 对导电有贡献的电子数目就越多, 该金属的电导率就越高.

6.6磁场与电场, 哪一种场对电子分布函数的影响大? 为什么?

磁场与电场相比较, 电场对电子分布函数的影响大. 因为磁场对电子的作用是洛伦兹力, 洛伦兹力只改变电子运动方向, 并不对电子做功. 也就是说, 当只有磁场情况下, 非磁性金属中价电子的分布函数不会改变. 但在磁场与电场同时存在的情况下, 由于产生了附加霍耳电场, 磁场对非磁性金属电子的分布函数的影响就显现出来. 但与电场相比, 磁场对电子分布函数的影响要弱得多.

二. (25分)

1. 证明立方晶系的晶列[hkl]与晶面族(hkl)正交.

2. 设晶格常数为a, 求立方晶系密勒指数为(hkl)的晶面族的面间距.

三. (25分)

设质量为m的同种原子组成的一维双原子分子链, 分子内部的力系数为 1, 分子间相邻原子的力系数为 2, 分子的两原子的间距为d, 晶格常数为a,

1. 列出原子运动方程. dS kE

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2. 求出格波的振动谱 (q).

四. (30分)

对于晶格常数为a的SC晶体

1. 以紧束缚近似求非简并s态电子的能带.

2. 画出第一布里渊区[110]方向的能带曲线, 求出带宽.

3.当电子的波矢k=ai+aj时,求导致电子产生布拉格反射的晶面族的面指数.

一. 填空(20分, 每题2分)

1.对晶格常数为a的SC晶体,与正格矢R=ai+2aj+2ak正交的倒格子晶面族

2

的面指数为( 122 ), 其面间距为( 3a ).

2.典型离子晶体的体积为V, 最近邻两离子的距离为R, 晶体的格波数

3V

3目为( R ), 长光学波的( 纵 )波会引起离子晶体宏观上的极化.

3. 金刚石晶体的结合类型是典型的(共价结合)晶体, 它有( 6 )支格波.

4. 当电子遭受到某一晶面族的强烈反射时, 电子平行于晶面族的平均速度(不为 )零, 电子波矢的末端处在(布里渊区)边界上.

5. 两种不同金属接触后, 费米能级高的带(正)电.对导电有贡献的是 (费米面附近)的电子.

二. (25分)

1.设d为晶面族 hkl 的面间距为, n为单位法矢量, 根据晶面族的定义,

k l等份, 即 晶面族 hkl 将a、b、c分别截为ha n acos(a,n)==acos(a,n)=hd,

b n bcos(b,n)= acos(b,n) =kd,

c n ccos(c,n)= acos(c,n) =ld.

于是有

dddhkln=ai+aj+ak d

=a(hi+kj+lk). (1)

k分别为平行于a、b、c三个坐标轴的单位矢量. 而晶列 hkl 其中, i、j、

的方向矢量为

R hai+kaj+lak

=a(hi+kj+lk). (2)

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由(1)、(2)两式得

d

n=a2R,

即n与R平行. 因此晶列 hkl 与晶面 hkl 正交.

2. 立方晶系密勒指数为(hkl)的晶面族的面间距

2 2 adhkl 2 2 2 Khklh2 k2 l2hi kj lkaaa

三. (25分)

1.

原子运动方程

u(qna t)

2n Aei

u(qna t)

2n 1 Bei

1. 1. 格波的振动谱

1

1/2/2

1 2 2

216m 2 qa

2m2 2m 4m 12sin

1 22 2

四. (30分)

1. 紧束缚近似 非简并s态电

Eat

s(k) Es Cs 2Jscoskxa coskya coskza

2. 第一布里渊区[110]方向的能带曲线

[110]方向的能带曲线

带宽为8Js 。

K

2. 2. 将k=ai+aj带入Kn (k n

2) 0,得到 (q)子的能=带

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2 2 2 2 i, Kn2 j, Kn3 i jaaaa ,由此可知,导致电子产生布拉格反射的晶面族的面指数分别为(100),(010)和(110)。 Kn1

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