方向与光的传播方向一致)作用下会改变其各向异性性质,产生附加的双折射效应。例如把磷酸二氢钾晶体放置在两块平行的导电玻璃之间,导电玻璃板构成能产生电场的电容器,晶体的光轴与电容器极板的法线一致,入射光沿晶体光轴入射。与观察克尔效应一样,用正交偏振片系统观察。不加电场时,入射光在晶体内不发生双折射,光不能通过P2。加电场后,晶体感生双折射,就有光通过P2。泡克耳斯效应与所加电场强度的一次方成正比。大多数压电晶体都能产生泡克耳斯效应。泡克耳斯效应与克尔效应一样常用于光闸、激光器的Q开关和光波调制等。 实验原理
1.一次电光效应和晶体的折射率椭球
由电场所引起的晶体折射率的变化,称为电光效应.通常可将电场引起的折射率的变化用下式表示: n = n0 + aE0 +bE02+……
式中a和b为常数,n0为不加电场时晶体的折射率。由一次项aE0 引起折射率变化的效应,称为一次电光效应,也称线性电光效应或普克尔(Pokells)效应;由二次项bE02引起折射率变化的效应,称为二次电光效应,也称平方电光效应或克尔(Kerr)效应。一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中,二次电光效应则可能存在