800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究(4)

±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

第10期

李立浧等： ±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究 17

ESDD/(mg/cm2) (a)试品A

0.27，其值比文献[21]的0.20高。复合绝缘子的污秽影响特征指数小于瓷绝缘子的0.30~0.41[22]。

（4）试品A、D虽然结构一致，但配色方案不同，因此其a有差异，a与材质有关。 2.4 试品绝缘子的污闪梯度

设沿绝缘子表面爬电距离的闪络梯度为EL=Uf/L，沿电弧距离的闪络梯度为Eh=Uf/h，由表2则得试品A、B、C、D和E的EL和Eh如表4、5所示。

表4 P=98.6kPa时试品的EL和Eh

Tab. 4 The values of EL and Eh for P=98.6kPa

ESDD/

E/ (kV/cm) EL Eh EL Eh EL Eh EL Eh

A 0.41 1.39 0.36 1.20 0.31 1.05 0.26 0.87

B 0.39 1.31 0.34 1.12 0.30 0.98 0.24 0.80

试品 C 0.41 1.32 0.36 1.15 0.32 1.02 0.27 0.86

D 0.41 1.38 0.36 1.20 0.32 1.06 0.26 0.89

E 0.36 1.31 0.31 1.14 0.27 0.99 0.23 0.83

(mg/cm) 0.03

2

Uf/kV Uf/kV

0.0

0.1

ESDD/(mg/cm2) (b)试品B

0.2

0.05 0.08 0.15

Uf/kV

ESDD/(mg/cm2) (c)试品C

表5 P=74.6kPa时试品的EL和Eh

Tab. 5 The values of ELand Eh for P=74.6kPa

ESDD/ (mg/cm2) 0.03 0.05 0.08 0.15

E/ (kV/cm) EL Eh EL Eh EL Eh EL Eh

A 0.34 1.14 0.29 0.98 0.26 0.86 0.22 0.73

B 0.32 1.06 0.28 0.92 0.25 0.81 0.21 0.68

试品 C 0.33 1.07 0.29 0.94 0.26 0.84 0.22 0.72

D 0.34 1.16 0.30 1.02 0.27 0.91 0.23 0.77

E 0.29 1.07 0.26 0.94 0.23 0.83 0.19 0.70

Uf/kV

0.00

0.08

2

ESDD/(mg/cm) (d)试品D

0.16

Uf/kV (e)试品E

ESDD/(mg/cm)

2

图1 污闪电压与盐密的关系

Fig. 1 The relationship between Uf and ESDD

由图1及表3可知：

（1）不同气压P下，复合绝缘子短样的Uf均随着ESDD的增加而降低，且满足幂函数规律。

（2）随着H升高、P降低，a减小，即P越低，Uf受ESDD的影响减小。

（3）a与绝缘子伞裙结构、气压等有关。P=98.6kPa时，a=0.27~0.30；P=76.4kPa时，a=0.24~

由表1、5、6可知：

（1）Uf与电弧距离h基本成正比。

（2）不同ESDD和P下，伞形结构和L均对试品的Uf有影响，且其EL和Eh均不同。

（3）Eh与爬高比S有关，如ESDD为0.03 mg/cm2时，试品E、A的Eh分别为1.31、1.38，但不是L越大越好，E的S比A高，但Eh则低于A。但对于试品B、C、D而言，随着S的增加，则Eh增加，且试品D的S为3.357，其Eh为1.38，可以推测，在此污秽下，最佳的S在3.35~3.6之间。

（4）试品E的S最低，即试品E的爬电距离没有得到充分利用，试品D具有较好的爬距利用系数。 2.5 Uf与海拔高度关系

由文献[23-25]以及对试验结果的分析可知，低气压下污秽绝缘子的污闪电压Uf与P的关系为：