电子技术基础课程讨论式教学法的探讨
北京电力高等专科学校学报No 62 1 . .0 1
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教育改革与实咽践
电子技术基础课程讨论式教学法的探讨程静王红琳常翠宁乌鲁木齐 8 04 ) 0 7 3 (新疆大学电气工程学院,新疆
摘要:育的改革与创新是对每所大学的内在要求,高高等教育质量的重要方面,所有高校的重大任务。我国传统的教教是提是育模式以单一的传授式为主,致使所培养的人才缺乏思考和创新能力。本文对“电子技术基础”课程采用讨论式教学方法进行了探讨, 通过讨论引发学生的积极性,开扩思路,培养学生的思考和创新能力。 关键词:电子技术基础;讨论式教学;创新教育中图分类号: 62 G 4. 0文献标识码: A文章编号:090 1(02.201-1 10.182 1)0—130
最 N结吗? “模拟电子技术基础”程是电气类学科的专业基础课,课是基子数目可能产生浓度差,终会形成 P础课程与专业课程的桥梁。这门课程中的理论相对抽象和复杂, 而此类课程的教学中,大多采用课堂讲授结合实验的方法加以理解和巩固,很少设立讨论课,因此学生难以真正的理解和掌握“。~ o ④ . . ∈} 0 。 讨论题目 某半导体材料的结构如图 l示。所一
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图 3 P区和 N区各自内部的扩散与复合 3又有同学提出,、 P区和 N区电子没有浓度差,所以两种载流子不扩散,子本身不带电,么本征激发产生的电子和空穴会且原那不会因为带电而产生相互吸引,由引力作用而引发载流子的运动? 这个观点,其他同学立即否定。被因为没有外加电场,因此带电粒子不会受到引力作用,它们只能做随机运动。 4随机运动会不会引起部分空穴和电子复合,、而导致 P区和 N区的电子浓度差,因而产生扩散形成 P结? N 三、讨论结果总结在整个讨论中,会使学生对多数载流子、少数载流子、本征激发、穴电子对、散运动的形成、空扩空穴的运动、半导体本身呈电中性、耗尽层、 N结的形成等基本概念和原理, P有更进一步的掌握、 理解和巩固。
最后由老师做总结,陈述观点,分析原因。 在该题目的讨论过程中,几乎所有同学都忽略了 P区和 N区的形成,是揭开问题面纱的关键。在半导体两个不同的区域分这别掺入三价和五价的杂质元素,便在半导体的两边形成 P型区和 N型区。于纯净的半导体,对空穴和电子的数目是相同的。因此, 在一块纯净的半导体的两个不同区域掺杂而形成的 P区和 N区, 它们的电子数目一定是不相等的。因此,目中假想的理想状态题是不存在的。四、讨论式教学法小结
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图 1半导体材料的结构
假设在某一理想状态下,经本征激发后 P区的少子 (电子)数目与 N区的多子 (电子)目相同,数其分布情况也对称,在该情问:况下能否形成 P结? N二、展开讨论 (观点一——由于浓度差而产生 P结一) N
1在 P区和 N区,、只有空穴存在浓度差,电子没有浓度差,而 会产生扩散运动吗?空穴是当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,在共价键中留下的一个空位,因此空穴本身是不能移动的。 我们所说的空穴的运动,为了分析方便,是用空穴的运动来描述电
子移走后留下的空位的相对位置的变化。那么,在这种只有空穴存在浓度差,电子没有浓度差情况下,而空穴会产生移动吗? 2如果假设空穴能够产生移动, P区和 N区的交界处就会、在仅仅留下带负电的离子芯,只有负离子芯形成的薄层能被称为 P N结吗?如图 2示。所
通过上述讨论式教学法的教学实例表明,讨论的过程中,在可大大引发学生思考问题的积极性,且学会用所学的知识去分析并问题和解决问题,终对教科书中所学的基本概念和原理能够有最进一步的理解、掌握、固和提高。讨论中一改平时枯燥乏味的巩在理论知识,跃课堂气氛,活帮助学生理清思路,阔视野,开同时可引 发学生的创新思考,带来新的发明和新的创新成果。由于受到课时的限制,开展讨论式教学法时,在可根据课时安排,尽量做到各重点和难点章节,每一章内容讲授完开展一次讨论课参考文献:
3假定问题 ()、 2的结论成立,那么产生的P N结是否能被称为单边P N结?如果有单边 P N结,是不是于此对应
的还有双边 P N结?
( )点二——没有复合作用不能产生 P结二观 N 1将 P区和 N区分开来看,、在其各自的内部会因为浓度差的原因,进行扩散和复合吗?如图 3示。先所 2如果假设 1、成立,在各自内部扩散复合后,区和 N区的电 P
【王彩君, 1】黄智进.模拟电子技术基础课程教学方法的探讨[. J实验】科学与技术, 1, 5: .2 2 0 () 99. 0 8 8 【吴青萍, 2】张慧敏 .拟电子技术课程行动导向教学的探讨[.对模 J全]
国高等学校电子技术研究会论文集, 1, 0: . 2 0 3) 35 0 ( 5 5
作者简介:程静(9 0)女, 1 8 .,讲师,硕士研究生,在读博士,研究方向:电子技术基础;王红琳( 9 8)女, 16 ,讲师,硕士研究生,研究方向:电工学、电子技术基础;常翠宁(9 3 )女, 1 6 -,副教授,研究方向:电子技术基础。l3 1