令狐采学创作
半导体或金属薄片置于磁场中,当有电流(与磁场垂直的薄片平面方向)流过时,在垂直于磁场和电流的方向上产生电动势,这种现象称为霍耳效应。
2.霍耳元件
目前常用的霍耳材料锗(ge)、硅(si)、锑化铟(insb)、砷化铟(inas)等。n型锗容易加工制造,霍耳系数、温度性能、线性度较好;p型硅的线性度最好,霍耳系数、温度性能同n型锗,但电子迁移率较低,带负载能力较差,通常不作单个霍耳元件。
三)压电式传感器
1.压电效应
对某些电介质沿着一定方向加力而使其变形时,在一定表面上产生电荷,当外力撤除后,又恢复到不带电状态,这种现象称为正压电效应。在电介质的极化方向施加电场,电介质会在一定方向上产生机械变形或机械压力,当外电场去除后,变形或应力随之消失,此现象称为逆压电效应。
2.压电元件
压电式传感器是物性型的、发电式传感器。常用的压电材料有石英晶体(sio2)和人工合成的压电陶瓷。
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