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A.阳极加正向电压,门极有正向脉冲B.阳极加正向电压,门极有负向脉冲C.阳极加反向电压,门极有正向脉冲D.阳极加反向电压,门极有负向脉冲
0100003、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用(B)A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
0100002、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流(A)A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下0100002、IGBT是一个复合型的器件,它是(B)A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO0100002、晶闸管稳定导通的条件(C)A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
0100001、具有自关断能力的电力半导体器件称为(A)A、全控型器件C、不控型器件
B、半控型器件D、触发型器件
0100002、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的(D)A、转折电压C、阈值电压
B、反向击穿电压D、额定电压
0100002、晶闸管的伏安特性是指(C)A、阳极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系
B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系
0100002、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在(B)A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定0100002、在型号KP10-12G中,数字10表示(B)A、额定电压10VB、额定电流10AC、额定电压1000VD、额定电流100A
0100002、对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有,IL(A)IHA、大于B、等于C、小于D、无关
0100002、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在(D)