开关电源的PCB布局及EMI滤波器设计(19)

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第２章ＰＣＢ元器件布局对电磁干扰的影响

本章以带有Ｃ—Ｌ型滤波器的功率因素校ｊＥ（ＢｏｏｓｔＰＦＣ）电路为例，从滤波器与主电路近场耦合的角度分析了ＰＣＢ元器件的布局对电磁干扰的影响。２．１滤波器与主电路的杂散磁场耦合的分析

图２．１表示带有Ｃ．Ｌ型滤波器的典型ＢｏｏｓｔＰＦＣ电路。

图２．１带有Ｃ－Ｌ滤波器的Ｂｏｏｓｔ电路

由Ｄ１．Ｄ４组成的桥式整流电路前接有Ｃ．Ｌ滤波器，对于功率变流器的主电路而言，电感Ｌ是磁场能量的主要来源，输入电容Ｃｉｎ为高频噪声提供了低阻抗回路。当功率变流器工作在断续状态时，续流二极管不能产生反向恢复电流，由开关器件Ｍ、二极管Ｄ、输出电容Ｃｍｎ形成的回路的杂散场耦合可以忽略不计，主电路的敏感器件主要是输入电容Ｃｉｎ和电感Ｌ［３６】。由于在Ｂｏｏｓｔ电路中的滤波器和主电路的杂散磁场耦合比电场耦合对ＥＭＩ的影响要大【３５】【３６１，因此我们主要考虑该电路的杂散磁场耦合。

图２．１中存在的近场耦合效应主要有以下几类：

（１）差模滤波电容Ｃｘ与共模扼流圈之间的近场耦合；

（２）变流器输入电容Ｃｉｎ与变流器电感Ｌ之间的近场耦合；

（３）Ｃｘ与Ｃｉｎ之间的近场耦合：

（４）Ｃｘ与Ｌ之间的近场耦合；

（５）ＣｉＩｌ与共模扼流圈之间的近场耦合；

（６）共模扼流圈与Ｌ之间的近场耦合。

其中，（１）是ＥＭＩ滤波器内部的耦合，（２）是变流器内部的耦合，（３）可看成