IGBT模块技术参数符号术语说明 datasheet名称解释

IGBT管、IGBT模块 技术参数符号术语说明： DATASHEET 个参数解释:

注：在任何情况下都不能超过所记载的绝对最大额定值。

IGBT 管、IGBT 模块 电特性(Electrical characteristics)术语集电极一发射机 间断路电流 门极(下称 G)一发射极(下称 E)间处于 ICES 短路的状态时， 在集电极 (下称 C) 一E 间外加指定的电压时 C-E 间的漏电流

符号

定义与说明(条件请参照各种产品的说明书)

(Zero gate voltae collector current)门极一发射极 间的漏电流

(Gate-emitter leakage current)门极一发射极 间的阀值电压

IGES

C-E 间处于短路状态时，在 G-E 间外加 指定的电压时 G-E 间的漏电流

处于指定 C-E 间的电流(下称集电极电 流)和 C-E 间的电压(下称 VCE)之间 VGE(th) 的 G-E 间的电压(下称 VGE) (C-E 间有 微小电流开始流过时的 VGE 值用于作为 衡量 IGBT 开始导通时的 VGE 值的尺度) 在指定的 VGE 下，额定集电极电流流过 VcE(sat) 时的 VGE 值(通常，VGE=15V,

计算损 耗时重要值)

(Gate-emitter threshold voltage)集电极一发射极 间的饱和电压

(Collector-emit ter saturation voltage)输入电容(Input

capacitance)输出电容

Cies

C-E 间交流性短路状态下， G-E 间和 C-E 间外加指定电压时 G-E 间的电容 G-E 间交流性短路状态下， G-E 间和 C-E 间外加指定电压时 C-E 间的电容

(Output静 态 特 性

Coes

capacitance)反向传输电容

(Reverse transfer capacitance)二极管正向电压

Cres

在 E 接地的情况下，G-E 间外加指定电 压时 C-G 间的电容 在内置二极管中流过指定的正方向电流

(Forward on voltage)开通时间 动 态 特 性 上升时间 (Raise time)

VF

(通常为额定电流) 时的正方向电压 (与VCE(SAT)相同，也是计算损耗时的重要

值) tOn IGBT 开通时，VGE 上到0V 后， VCE 下降 到最大值的10%时为止的时间 IGBT 开通时， 从集电极电流上升到最大 tr 值的10%时开始，到 VCE 下降到最大值 的10%为止的时间 tr(i) IGBT 开通时， 从集电极电流上升到最大 值的10%时开始， 到达到90%为止的时间

(Turn-on time)

关断时间

IGBT 关断时，从 VGE 下降到最大值的 toff 90%开始，到集电极电流在下降电流的 切线上下降到10%为止的时间 IGBT 关断时，集电极电流从最大值的 tf 90%开始，在下降电流的切线上下降到 10%为止的时间 到内置二极管中的反向恢复电流消失为 止所需要的时间

(Turn-off time)下降时间

(Fall time)反向恢复时间

(Reverse recovery time)反向恢复电流

trr

(Reverse recovery current)逆向偏压安全操作区

Irr(Irp)

到内置二极管中正方向电流断路时反方 向流动的电流的峰值

关断时在指定的条件下，能够使 IGBT RBSOA 断路的电流与电压的区域(一旦超出该 区域，元件可能遭到破坏) RG Qg 门极串联电阻值(标准值记载在交换时 间测定条件中) 为了使 IGBT 开通， G—E 间充电的电荷 量

(Reverse门极电阻

bias

safe

operation area) (Gate-resistance)门极充电电量

(Gate charge capacity)

IGBT 管、IGBT 模块 热特性(Thermal resist ance characteristics) :术语热阻 (Thermal resistance) 外壳温度 (Gase temperature) Tc IGBT 的外壳温度(通常情况指 IGBT 或内置二极管正下方的铜基下的温度) Rth(c-f)

符号Rth(j-c)

定义与说明(条件请参照各种产品的说明书) IGBT 或内置二极管的芯片与外壳间的热阻 运用散热绝缘混合剂，在推荐的力距值的条件下，将元件安装到冷却体上时， 外壳与冷却体间的热阻

IGBT 管、IGBT 模块 热敏电阻的特性(Thermistor characteristics) :术语热敏电阻 (Resistanc e) B值 (B value) B 表示在电阻-温度特性上任意2个温度间的电阻变化大小的常数 Resistance 指定温度下热敏电阻端子之间的电阻值

符号

定义与说明(条件

请参照各种产品的说明书)

IGBT 管、IGBT 模块 物理化学特性术语相对漏电起痕指数

符号

定义与说明(条件请参照各种产品的说明书) 材料表面能经受住50滴电解液(0.1%氯化铵水溶液)而没有形成漏电 痕迹的最高电压值，单位为 V。

(ComparativeTracking Index)

CTI