CMOS反向器版图设计实验报告(4)

骤前面已经介绍，其中pmos长6u，宽为0.6u。nmos长为3u，宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n）。然后建立其layout view，其步骤为：在tool中选择virtuoso－layout，然后点击ok。

2、 绘制inverter掩膜版图的一些准备工作

首先，在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗口版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menu , menu banner , status banner.

3、 绘制版图

一．画pmos的版图（新建一个名为pmos的cell）

1． 画出有源区

在LSW中，点击active（dg），注意这时LSW顶部显示active字样，说明active层为当前所选层次。然后点击icon menu中的rectangle icon，在vituoso editing窗口中画一个宽为3.6u，长为6u的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击misc/ruler即可得到。清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击delete icon。 2． 画栅

在LSW中，点击poly（dg），画矩形。与有源区的位置关系如下图：

0.6u

6u(gate width)

1.5u

3.6u

3．画整个pmos

为了表明我们画的是pmos管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层，这一层将覆盖整个有源区0.6u。接着，我们还要在整个管子外围画上nwell，它覆盖有源区1.8u。如下图所示：

pselect

1.8u