CMOS反向器版图设计实验报告(5)

nwell

4．衬底连接

pmos的衬底（nwell）必须连接到vdd。首先，画一个1.2u乘1.2u的active矩形；然后在这个矩形的边上包围一层nselect层（覆盖active0。6u）。最后将nwell的矩形拉长，完成后如下图所示：

nselect

active

pselect

这样一个pmos的版图就大致完成了。接着我们要给这个管子布线。 二．布线

pmos管必须连接到输入信号源和电源上，因此我们必须在原图基础上布金属线。 1． 首先我们要完成有源区（源区和漏区）的连接。在源区和漏区上用contact（dg）层

分别画三个矩形，尺寸为0.6乘0.6。注意：contact间距为1.5u。

2． 用metal1（dg）层画两个矩形，他们分别覆盖源区和漏区上的contact，覆盖长度为

0.3u。

3． 为完成衬底连接，我们必须在衬底的有源区中间添加一个contact。这个contact每

边都被active覆盖0.3u。

4． 画用于电源的金属连线，宽度为3u。将其放置在pmos版图的最上方。

图2-3-1 pmos版图

通过以上步骤我们完成了pmos的版图绘制。接下来我们将绘制出nmos的版图。 三．画nmos的版图

绘制nmos管的步骤同pmos管基本相同（新建一个名为nmos的cell）。无非是某些参数变化一下。下面给出nmos管的图形及一些参数，具体绘制步骤就不再赘述。

1． 新建一个cell（inv）。将上面完成的两个版图拷贝到其中，并以多晶硅为基准将两

图对齐。然后，我们可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。 2． 输入：为了与外部电路连接，我们需要用到metal2。但poly和metal2不能直接相

连，因此我们必须得借助metal1完成连接。具体步骤是： a． 在两mos管之间画一个0.6乘0.6的contact b． 在这个contact上覆盖poly，过覆盖0.3u

c． 在这个contact的左边画一个0.6乘0.6的via，然后在其上覆盖metal2（dg），

过覆盖0.3u

d． 用metal1连接via和contact，过覆盖为0.3u

从下图中可以看得更清楚：

metal1