TFT-LCD学习总结(4)

方式注入液晶材料并加以封合；另一种方法是先注入液晶，再进行裁切断片后再封合。

模块的制造工艺即是将TFT-LCD的panel面板与驱动电路（Drive IC）、印刷电路板连接，并装上背光源以及固定框架就完成了液晶显示模块（LCM）。制作工序包括以下几个环节：偏光板贴合、TAB贴合、PCB贴合、背光源组装、老化测试和包装。偏光板贴合是指利用Panel板和偏光板上的信息将上下偏光板分别贴附Panel板的上板和下板。

三、我司相关环节。

我司目前作为供应商，从事参与的环节主要集中在ARRAY阵列这一环节。具体分下如下：（一）PECVD

阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触通孔、像素电极经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿法刻蚀、干法刻蚀后，剥离掉多余的光刻胶，再经热处理把半导体特性作均一化处理后即做成阵列玻璃基板。

（二）DRY-ETCH

广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。

底切现象

自1970年以来，元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术（也叫等离子体刻蚀技术），人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小，而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD