封装键合铜线参数指摘(2)

封装键合铜线参数讨论版指摘

1. 铜线的热块需要重新设计，

对第二点的焊接，最好在lead的支撑区域加凸台，防止lead在焊接过程中震动小，凸台一般高为1mil, 宽为1-2mil. 压板不需要。

对第一点焊接，对QFN/DFN的产品，真空孔要小，要多，这样真空吸附均匀。对dual paddle一些leadframe的产品，如SOIC dual paddle的mosfet的产品，这种leadframe的厚度很厚（8mil），并且tie bar分布不能对称，加热块要完全吸好不容易，可以在没有tie bar的一边加凸台，高度不要超过1mil.

2. 焊接铜线劈刀的选择，对heavy wire, 我的经验是选Double IC type，这种劈刀不易出crater，对small wire, 根据pitch来选，pictch 大还是推荐选double IC type，如果fine pitch，选SBIC type.

现在说说铜线的工艺管控，

1. FAB的管控，检查频率：1X/change capillary；1X/change device, 并保留样品。检查FAB是否有氧化，是否锥型球。

2. ball shape control, 对于球形，做到ball ratio (ball height/ball size)在18%-31%合理，target 25%, 就是说球的厚度是球大小的1/4。frenqucey: 1X/change device; 1X/day.

3. ball shear control, 做到7-9g/mil2的BSS对铜线来说是合理的，不要要求pad上有残铜，只有ball shear的值达到了就可以。 frenqucy: 1x/change device, 1X/day.

remark: 一些device在推ball shear时会产生Al metal peeling，出现这种情况，不要马上判断fail, 如果ball shear值达标并且出现的比例在5%以下，做cratering test与ILD test，ILD是inner layer distance, 就是铜球焊接后Al pad 所剩于的Al层厚度，如果两项都pass, 产品pass. 上述条件任何一项fail, 则产品reject.

4. wire pull control, same Au wire. 在wire pull测试中，不能出现Al pad peeling，出现就判reject.

5. ILD control, 在铜线工艺中，这项是非常重要的控制项目，但这项测试比较费时，需要做cross-section, frenqucy: 1X/new device evaluation, 1X/week/machine. 判断标准；Min. 20% of initial Al thickness and bond surface is flat. 特别说明焊接面要平，只要做平了，就不会产生crater。在一楼已经说明了分阶段焊接能做到这种效果，intial force 与contact force是关键因素，就是第一阶段的焊接force.

以上主要是对第一点的控制要求。

对第二点，主要看wire pull , new device evaluate时，要测试stitch pull，并且观察鱼尾是否有peeling.

希望大家多交流！

对于1。0mil的铜线，一般要求铝硅铜结构的铝层大于1。5微米，而且pad下没有电路结构，除非铝层厚度大于3微米。 当然，不同的线径有不同的要求。。。

另外，值得注意的就是铜线bonding对bond pad的bpo大小和bpp大小，都比相同线径的金线bonding要求大。。

在mos的source上打多根线我能理解，如果是20根的铜线，好奇是不是lead的设计有通常产品有很大不同啊， 起码面积要大很多吧。。。 第二焊点不担心焊不上，只是担心打的多了，最早bond的几根线会在后