霍尔效应实验报告(3)

令狐采学创作

令狐采学创作 别办法是电压为负，H R 为负，样品属于n 型；反之则为p 型。

（2）由H R 求载流子浓度n.即e R n H 1

= 这个关系式是假定所有载流

子都具有相同的漂移速度获得的。

（3）结合电导率的丈量，求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系

μσne = 即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。

3、霍尔效应与资料性能的关系

由上述可知，要获得年夜的霍尔电压，关键是选择霍尔系数年夜（即迁移率高、电阻率也较高）的资料。因μρ=H R ,金属导体μ和ρ都很低；而不良导体ρ虽高，但μ极小，所以这两种资料的霍尔系数都很小，不克不及用来制造霍尔器件。半导体μ高，ρ适中，是制造霍尔元件较为理想的资料，由于电子的迁移率比空穴迁移率年夜，所以霍尔元件多采取n 型资料，其次霍尔电压的年夜小与资料的厚度成正比，因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高很多。就霍尔器件而言，其厚度是一定的，所以实用上采取ned

K H 1

=来暗示器件的灵敏度，H K 称为霍尔灵敏度，单位为()T mA mV •.

4、陪伴霍尔效应呈现的几个副效应及消除办法

在研究固体导电的过程中，继霍尔效应之后又相继发明了爱廷豪森效应、能斯特效应、理吉勒杜克效应，这些都属于热磁效应。现在介绍如下：

（1）爱廷豪森效应电压

爱廷豪森发明，由于载流子速度不合，在磁场的作用下所受的洛仑