D.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔。 18. EPROM是指 D 。
A. 随机读写存储器 B. 只读存储器
C. 可编程的只读存储器 D. 可擦可编程的只读存储器
19.动态半导体存储器是 A 。
A. DRAM B. PROM C.SRAM D.ROM 20. 需要刷新的存储器是 D 。
A.Cache B. ROM C.静态存储器 D.动态存储器
二.填空题(每题1分,共30分)
1.三级存储系统是由 、 、和 组成的,二级存储系统则由 和 组成。分级的目的是 。
2.动态半导体存储器的刷新一般有 、 、和 三种方式,之所以刷新是因为 。
3.使用高速缓冲存储器是为了解决 问题,存储管理主要由 实现。使用虚拟存储器是为了解决 问题而制造的,存储管理主要由 实现,在后一种情况下,CPU 访问第二级存储器。
4.计算机中的存储器是用来存放 的,随机访问存储器的访问速度与 无关。
5.已知某计算机存储器容量为4MB,用1M×1位动态RAM芯片构成该存储器,共需要这种类型的DRAM 片,每片DRAM上有 根地址引线。
6.运算器组成中除了要有加法器,还要有 、 、 、 、和 。
7.移码表示法的主要用途是:表示 数的阶码E,以便于比较两个 的大小和 操作。
8.在由n台计算机构成的并行计算机中,其运行程序的加速比一般都小于n,其主要原因是 和 。
9.将许多电子元件集成在一块芯片上称为 。
三.计算题(每题5分,共20分)
1.已知x=-0.1011, y=0.0111, 求x-y=?