四.用SN74181芯片和SN74182芯片设计以下两种方式的32位字长的ALU.
五.
1. 二重并行进位。(5分)
2.三重并行进位。(5分)
五.某8位机采用单总线结构,地址总线16根(A15—A0,A0为低位),数据总线8根(D7—D0),控制总线中与主存有关的有MREQ(允许访存,低电平有效),R / W(高电平为读命令,低电平为写命令)。
主存地址空间分配如下:0——8191为系统程序区,由只读存贮器芯片组成。8192——32767为用户程序区;最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制,按字节编址。现有如下存贮器芯片: ROM:8K×8位(控制端仅有——CS)
RAM(静态):16K×1位,2K×8位,4K×8位,8K×8位
请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存贮器,画出主存贮器逻辑框图。注意画选片逻辑(可选用门电路及3:8译码器74LS138),与CPU的连接,说明选哪些存贮器芯片,选多少片?(10分)
六.用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器。 (1)画出该存储器组成的逻辑框图。
(2)设存储器读/写周期均为0.5μS,CPU在1μS内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?