大学 数字电路,第三章逻辑门电路详细讲解
第三章 逻辑门电路§3.1 逻辑门电路的一般特性 §3.2 半导体器件的开关特性 §3.3 集成门电路 §3.4 逻辑门电路使用中的几个实际问题 §3.5 抗干扰措施
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内容要求– 了解逻辑电路的一般特性;– 了解MOS管和BJT管的开关特性;
– 掌握典型CMOS和TTL门的逻辑功能、外部特性、主要参数和使用方法;
– 了解一些特殊门电路的逻辑功能;– 了解实际应用中的若干问题和抗干扰措施;
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§3.1
逻辑门电路的一般特性
逻辑器件的数据手册一般提供门电路的电 压传输特性、输入和输出高、低电压、噪声 容限、传输延迟时间和功耗等技术参数。
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一、输入和输出的高、低电平不同系列的逻辑电路,输入和输出对应的电压 范围也不同。 74HC系列CMOS门(工作电压为5V时): 输入电压:VIH:3.5~5.0 V VIH(min) VIL:0~1.5 V VIL(max) 输出电压(所带负载不同,对应电压值也不同): – CMOS负载:VOH:4.9~5.0 V VOL:0~0.1 V – TTL负载: VOH:3.84~5.0 V VOL:0~0.33 V VOH(min)、 VOL(max)
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二、噪声容限表示门电路的抗干扰能力。允许叠加在工作信 号上的最大噪声幅度,称为噪声容限。噪声幅度不 超过输入电平的最小值和最大值时,不会引起电路 输出状态的变化。
噪声容限值越大,抗干扰能力越强。
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1
vO
vI
1
驱动门VDD VOH(min)
负载门
VNHVIH(min) VIL(max)
输入高电平噪声容限: VNH=VOH(min)-VIH(min)
VNLVOL(max)
输入低电平噪声容限: VNL=VIL(max)-VOL(max)
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三、扇入、扇出系数前后级之间电流的联系。
1
?
1
扇入系数Ni —输入端的个数 扇出系数No —驱动同类门的个数 有两种情况:拉电流和灌电流
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前级输出为 高电平时+VCC
R2 1 .6 K
R4 130 T4D2
+VCC
R1 4K
前级 流出前级电流IOH (拉电流)
T1
后级
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拉电流负载 拉电流负载:负载电流从“与非门”流向外电路。(驱动门) OH N OH I (负载门) IH I
拉电流情况:当驱动门的输出为高电平时,将有 电流IOH从驱动门拉出而流至负载门,当负载门的 个数增多时,必将引起输出高电压的降低,但不 得低于标准高电压。
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前级输出为 低电平时+VCC
+VCC
R1 4K
R2 1 .6 K
流入前级的电流 IOL (灌电流)T2
R1 4K
T1 T5 R3 1K
T1
后级
前级
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灌电流负载 灌电流负载:负载电流从外电路流入“与非门”I (驱动门) N OL OL I (负载门) IL
灌电流情况:当驱动门的输出端为逻辑0,负载门 产生灌电流。负载门的个数增加会引起VOL升高, 因此负载门的个数不得超过一定限度。
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特别提示: 逻辑门电路的数据手册中不给出扇出系数,必须 通过计算或实验得出。 设计时留有余地,保证电路或系统正常运行。 实际工程中,若
IOH和IOL不相等,则 NOL≠NOH 通常取二者中的最小值。 对于CMOS门电路,所带负载类型不同时,扇出 系数不同。 当负载为CMOS门时,其输入电容不 容忽视。
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例:计算下列情况的CMOS门电路的扇出系数。 1、负载为CMOS门。1)保证其输出高电平为4.9V。 此时IOH=-20uA, IOL=20uA, IIH=1uA, IIL=-1uA; (负号表示从器件流出,正号表示流入器件) 2)允许其输出电平降至TTL门的3.84V。此时, IOH=-4mA, IOL=4mA, IIH=1uA, IIL=-1uA; 解:1)NOH=NOL=20/1=20 2)NOH=NOL=4000/1=4000 注:实际不可能,负载门的输入电容充放电 会影响门电路的开关速度。
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2、负载为TTL门(74HCT系列与其兼容)。若为 74LS系列TTL门: IOH=IOL=4mA,而 IIH=0.02mA, IIL=0.4mA。
解:1)NOH=IOH/IIH=4/0.02=200 NOL=IOL/IIL=4/0.4=10 则,扇出系数为10。
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§3.2 半导体器件的开关特性对应于有触点开关的“断开”和“闭合”。 1、二极管 正向导通,相当于开关闭合。 反向截止,相当于开关断开。 2、三极管c cD G G S P增强型 S N增强型 D D G S P耗尽型 G S N耗尽型 D
b e PNP
b e NPN
3、MOS管(场效应管)
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场效应管与晶体管的比较双极型三极管载流子控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电
单极型场效应管电子或空穴中一种 载流子参与导电
电流控制
电压控制
类
型
NPN和PNP
放大参数 输入电阻
输出电阻热稳定性 制造工艺
20 ~ 200 102 ~ 104 较低 rce很大差 较复杂 B—E—C
N沟道和P沟道 gm 1 ~ 5mA/V 7 14 10 ~ 10 较高
rds很大好 简单,成本低 G—S—D
对应电极