半导体工艺教案第七章光刻

教学内容及教学过程】

7.1 概述

图7-1 半导体制造工艺流程

7.1.1 光刻的概念

光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。

图7-2 光刻的基本原理图

7.1.2 光刻的目的

光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。

7.1.3 光刻的主要参数

在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。

1.特征尺寸

2.分辨率

图7-3 焦深的示意图

3.套准精度

4.

工艺宽容度

7.1.4 光刻的曝光光谱

曝光光源的能量要能激活光刻胶，并将图形从掩膜版中转移到晶圆表面。由于光刻胶材料与紫外光所对应的特定波长的光发生反应，因此目前紫外光一直是形成光刻图形常用的能