半导体工艺教案第七章光刻(2)

量源。

表7-1 常用的曝光光源以及光源波长与特征尺寸的关系

7.1

7.1.5 光刻的环境条件

在晶圆的批量生产中，光刻机对环境的要求非常苛刻，特别是现在的深亚微米尺寸的生产线。微小的环境变化就可能导致器件的各种缺陷。光刻设备有一个要求非常严格的密封室控制各种条件，例如温度、振动、颗粒沾污和大气压力等。

1.温度

2.振动

3.颗粒沾污

4.大气压力

7.1.6 掩膜版

掩膜版是晶圆生产过程中非常重要的一部分。比较常用的是掩膜版和投影掩膜版。掩膜版包含了整个晶圆的芯片阵列并且通过单一的曝光转印图形，一般用于较老的接近式光刻机或扫描对准投影机中。投影掩膜版是一种局部透明的平板，在它上面有将要转印到晶圆上的一部分图形（例如几个芯片的图形），因此需要经过分步重复在整个晶圆表面形成覆盖，一般用于分步重复光刻机和步进扫描光刻机。

1.投影掩膜版的材料

2.投影掩膜版的缩影和尺寸

3.投影掩膜版的制造

7.2 光刻工艺的基本步骤

1.气相成底膜

图7-4 光刻的基本工艺步骤