半导体工艺教案第七章光刻(5)

图7-11 接触式光刻示意图

7.4.2 接近式光刻机

接近式光刻机是从接触式光刻机发展过来的，并且在20世纪70年代的SSI时代和MSI（中规模集成电路）早期普遍使用。这种光刻机如今仍然在生产量小的老生产线中使用，一些实验室和生产分立器件的生产线中也有使用。接近式光刻的示意图如图7 12所示。

图7-12 接近式光刻的示意图

7.4.3 扫描投影光刻机

不管是接触式还是接近式光刻，都存在沾污、边缘衍射、分辨率限制并且依赖操作者等问题。20世纪70年代出现的扫描投影光刻机试图解决这些问题，直到20世纪80年代初扫描投影光刻机开始占据主导地位。现在这种光刻机仍在较老的晶圆生产线中使用。它们适用于线宽大于1μm的非关键层。

7.4.4 分步重复光刻机

图7-13 分步重复光刻机示意图

7.4.5 步进扫描光刻机

步进扫描光学光刻系统是一种混合设备，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机的技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶圆上的一部分实现光刻。使用步进扫描光刻机的优点是增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸。透镜视场只要是一个细长条就可以了，在步进到下一个位置前，它通过一个小的、校正好的26×33mm2像场扫描一个缩小的掩膜版（通常是4倍）。大视场的另一个优点是有机会在投影掩膜版上多放几个图形，因而一次曝光可以多曝光些芯片。步进光刻的示意图如图7 14所示。