24c02串行储存器中文资料(16)

常用集成电路资料手册

除非特别说明

输出负载能力为 个 门和
1 TTL 100pF

读写周期范围

1.8V 6.0V 2.5V 6.0V 3.0V 5.5V
符号 参数
最小 最大 最小 最大 最小 最大 单位

FSCL 时钟频率 100 400 1000 kHz

tAA SCL 变低至SDA 数据输出及应答信号 0.1 3.5 0.05 0.9 0.05 0.55 μs

tBUF 新的发送开始前总线空闲时间 4.7 1.2 0.5 μs

tHD: STA 起始信号保持时间 4.0 0.6 0.25 μs

tLOW 时钟低电平周期 4.7 1.2 0.6 μs

tHIGH 时钟高电平周期 4.0 0.6 0.4 μs

tSU: STA 起始信号建立时间 4.0 0.6 0.25 μs

tHD: 数据输入保持时间 0 0 0 ns

DAT

tSUl: DAT 数据输入建立时间 100 100 100 ns

tR SDA 及SCL 上升时间 1.0 0.3 0.3 μs

tF SDA 及SCL 下降时间 300 300 100 ns

tSU: STO 停止信号建立时间 4.7 0.6 0.25 μs

tDH 数据输出保持时间 100 50 50 ns

tWR 写周期时间 10 10 10 ms

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写周期时间是指从一个写时序的有效停止信号到内部编程/擦除周期结束的这一段时间 在写周期期

间 总线接口电路禁能 SDA保持为高电平 器件不响应外部操作

上电时序

符号 参数 最大 单位

tPUR 上电到读操作 1
ms

tPUW 上电到写操作 1 ms

功能描述
支持 2 总线数据传送协议 2 总线协议规定 任