24c02串行储存器中文资料(21)

常用集成电路资料手册

最小 最大 单位 参考测试模式
N 耐久性 1,000,000 周期字节 测试方法
END / MIL-STD-883 1033
TDR 数据保存 100 年 MIL-STD-883 测试方法1008
VZAP ESD 2000 V MIL-STD-883 测试方法3015
ILTH 上拉电流 100 mA JEDEC 标准17

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直流操作特性

Vcc=+1.8V +6.0V 除非特别说明

符号 参数 最小 典型 最大 单位 测试条件
FSCL=100KHz
ICC1 电源电流 读 1 mA
Vcc=5V
FSCL=100KHz
ICC2 电源电流 写 3 mA
Vcc=5V

I 备用电流(Vcc=5.0V) 0 A V =0 ~Vcc
SB μ IN

I 输入漏电流 3 A V =0 ~Vcc
LI μ IN

I 输出漏电流 3 A V =0 ~Vcc
LO μ OUT

VIL 输入低电压 1 Vcc 0.3 V

VIH 输入高电压 Vcc 0.7 Vcc+0.5 V

VOL1 输出低电压 Vcc=+3V 0.4 V IOL=3 mA

VOL2 输出低电压 Vcc=+1.8V 0.5 V IOL=1.5 mA

分布电容

TA=25 , f =1.0MHz, Vcc =5V

符号 测试项 最大 单位 条件

CI/O I/O 电容 SDA 脚 8 pF VI/O=0V

CIN 输出电容 SCL WP