24c02串行储存器中文资料(2)

常用集成电路资料手册

试模式
N 耐久性 1,000,000 周期字节 测试方法
END / MIL-STD-883 1033
TDR 数据保存时间 100 年 MIL-STD-883 测试方法1008
VZAP ESD 2000 V MIL-STD-883 测试方法3015
ILTH 上拉电流 100 mA JEDEC 标准17

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直流操作特性

Vcc=+1.8V +6.0V 除非特别说明

符号 参数 最小 典型 最大 单位 测试条件

ICC 电源电流 3 mA FSCL=100KHz

ISB 备用电流(Vcc=5.0V) 0 A VIN=0 ~Vcc

ILI 输入漏电流 10 A VIN=0 ~Vcc

ILO 输出漏电流 10 A VOUT=0 ~Vcc

VIL 输入低电压 1 Vcc 0.3 V

VIH 输入高电压 Vcc 0.7 Vcc+0.5 V

VOL1 输出低电压 0.4 V IOL=3 mA

VOL2 输出低电压 0.5 V IOL=1.5 mA

分布电容

TA=25 , f =1.0MHz, Vcc =5V

符号 测试项 最大 单位 条件

CI/O I/O 电容 SDA 脚 8 PF VI/O=0V

CIN 输出电容 A0 A1 A2 SCL WP 6 PF VIN=0V

交流特性

Vcc=+1.8V +6.0V 除非特别说明

输出负载能力为 个 门和
1 TTL 100pF

读写周期范围

1.8 V 2.5 V 4.5V 5.5V
符号 参数 单位
最小 最大 最小 最大

FSCL 时钟频率 100 400 KHz

TI SCL,SDA 输入的噪声抑制时间
200 200 ns

tAA SCL 变低至SDA 数据输出及应答信号 3.5 1 s

tBU