国内智能卡IC产业关键技术发展趋势的分析与思考(4)

环节来讲，扶持重点将是晶圆制造环节和芯片设计环节。在制程快速进步的时代，晶圆制造环节对上游芯片设计和下游封装测试都拥有很强的影响力，如果中国没有世界一流的晶圆厂，在晶圆制造环节依赖于人，那么也很难拥有世界一流的芯片设计和封装测试产业。

二、国内智能卡IC产业发展中存在的关键技术问题与瓶颈

未来几年，中国集成电路产业的发展前景光明，金融IC卡、移动支付大规模商用爆发，手机支付、网络支付等电子支付的快速普及，社保卡、健康卡、教育卡等电子证照类卡片的规模商用实施，加之国家对于集成电路产业的重点扶植，这都将给智能卡IC产业带来良好的发展机遇，但同时也对智能卡IC产业的技术提升提出了更高的挑战。

当前国内智能卡IC产业尚存在如下的关键技术问题与瓶颈，尚待提升解决。

1、国内智能卡IC产业的芯片工艺与国外工艺比相对落后

国内智能卡方面，目前主流的EEPROM工艺还在0.18um，大唐微电子公司率先使用中芯国际0.13um工艺研发了双界面芯片并实现商用，但是总体看国内foundry工艺还是与NXP、ST等国际芯片企业使用的90nm工艺存在差距。在FLASH工艺方面，国内芯片现

主要采用0.13um、0.11um工艺，而三星现在已采用80nm工艺，后续推进到45nm，NXP、英飞凌新产品也已采用90nm工艺，因此总体看国内foundry智能卡芯片工艺还落后于国际先进水平，这直接导致国内芯片的成本竞争力不强及性能提升相对受限。

2、国内RF及配套PMU技术起步晚，技术水平待赶超。

双界面芯片采用的ISO 14443 type A 标准由Philips(NXP)等半导体公司最先开发和使用，因此从产品的RF成熟度、机卡兼容性方面有其先发优势。经过近几年的奋起直追，国