LVDS(Low-Voltage+Differential+Signaling)设计及应用(10)

差分信号电路的设计

！ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ－ＶｏｌｔａｇｅＤ／ｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｉｇＩｌａｌｉｎｇ）设计及应用

ｊ

图２．１ｂＦＯ示意图ｂ

２．１．２ＥＳＤ保护

静电多由绝缘体物体问互相磨擦或干燥空气与绝缘物磨擦产生．当它能量积

累到一定程度，防碍它中和的绝缘体再也阻挡不住时，即发生剧烈放电。即静电放电（ＥＳＤ），这时的最高电压可达几千乃至几万伏．势必对静电敏感组件造成损害。

静电放电（ＥＳｏ）及电气过载（ＥＯＳ）对电子元器件造成损害的主要机理有：热二

次击穿：金属镀层熔融：介质击穿：气弧放电：表面击穿：体击穿等。

ＥＳＤ的特殊性：一是静电的产生和积累要一定的条件和过程，所以未加保护也

不见得件件产品都会受到ＥＳＤ伤害，有一定的”偶然性；二是由于多数情况下ＥＳＤ能量都较小，所以受到ＥＳＤ伤害的也并不表现为立即报废，有些仅表现为漏电增加，工作不稳定，甚至在出厂测试中一时表现不明显。

静电放电的模式以及工业测试标准：因ＥＳＤ产生的原因及其对集成电路放电

的方式不同，ＥＳＤ目前被分类为下列四类：

（１）人体放电模式（Ｈｕｍａｎ—ＢｏｄｙＭｏｄｅｌ，ＨＢＭ）

（２）机器放电模式（ＭａｃｈｉｎｅＭｏｄｅｌ．ＭＭ）

（３）组件充电模式（Ｃｈａｒｇｅｄ－ＤｅｖｉｃｅＭｏｄｅｌ，ＣＤＭ）

（４）电场感应模式（Ｆｉｅｌｄ—ＩｎｄｕｃｅｄＭｏｄｅｌ，ＦＩＭ）其中主要放电模式在集成电路产品的ＥＳＤ规格如表２．１所示：