基于密度泛函微扰理论的砷化镓电光张量研究(6)

南京航空航天大学硕士学位论文图表图 2.1 赝势示意图 ...................................................................................................................9 图 4.1 折射率椭球 ..................................................................................................................21 表 4.1 voigt 标记 ....................................................................................................................21 图 5.1 闪锌矿结构 .................................................................................................................27 图 5.2 GaAs 的能量-ecut 曲线 ...............................................................................................28 图 5.3 BN 的能量-ecut 曲线 ..................................................................................................28 图 5.4 GaAs 能量对 k 点数目 ...............................................................................................29 图 5.6 GaAs 能量-acell 曲线 ..................................................................................................30 表 5.1 原子坐标......................................................................................................................31 图 5.8 面心立方对应的第一布里渊区、对称点和轴 .........................................................32 表 5.2 面心立方结构的简约布里渊区中的某些特殊点和轴点的坐标(单位 2π/a) ......32 图 5.9 GaAs 能带结构图........................................................................................................33 图 5.10 BN 能带结构图 .........................................................................................................33 图 5.11 GaAs 声子色散结构图 ..............................................................................................34 图 5.12 BN 声子色散结构图 .................................................................................................34 表 5.3 GaAs 和 c-BN 的极化—初始构型和施加 x4=0.01 的两种剪应变（单位：c/m2 ） .........................................................................................................................................36 表 5.4 GaAs 和 c-BN 的固有极化变化—施加 x4=0.01 的两种剪应变（单位：c/m2 ）..36 表 5.6 极化—原子位移（偏离平衡位置） 。单位：a.u. (e/Bohr2) ......................................37 表 5.7 Born 有效电荷（单位：单位电荷。 ） .......................................................................38 表 5.8 GaAs 的电光张量（单位：pm/v） （使用了 voigt 标记）.......................................38 表 5.9 c-BN 的电光张量（单位：pm/v） （使用了 voigt 标记） .......................................39v