基于密度泛函微扰理论的砷化镓电光张量研究(8)

基于密度泛函微扰论的砷化镓电光张量研究是我们基于第一原理密度泛函微扰论去分析它们的晶体平衡状态、晶格动力学、 电光张量等特性。 以下简述这篇文章的安排。第二章我们介绍多体问题与密度泛函理论，概述 由于多体问题的困难而引入的密度泛函的 Kohn-Sham 方程(KS 方程) [14]。 这一重 构的量子力学方程运用电子密度作为取代多电子波函数的基本参数。 这样避免了 N 多体问题取而代之为 N 个单体问题这是一个卓越的简化。第三章首先介绍传统 的一阶微扰理论 Green 函数方法的获得， 其次介绍 2n+1 定理及由 2n+1 定理发展 起来的高阶微扰理论，最后介绍高阶微扰理论的一些应用，如动力学矩阵、色散 计算和 Born 有效电荷的计算等。第四章我们首先介绍非线性光学和电光张量； 最后简介软件工 再分析电光张量与 DFPT 的衔接以及各点群的电光张量对称性； 具—ABINIT。第五章对 GaAs 和 c-BN 进行了对比计算分析。第一部分分析计算 的收敛性，第二部分计算物质的平衡特性，第三部分为物质一般晶格动力学特性 如声子色散曲线、Born 有效电荷、和压电系数；在前面的计算基础下，我们在 最后对晶体电光张量构成进行分析比较。2