对肖特基缺陷所需要的能量,N为整个离子晶体中正负离子对的数目,证明n[解答]
由N个正离子中取出n个正离子形成 n个空位的可能方式数为
Ne E/2kBT.
W1
N!
(N n)!n!N!
.
(N n)!n!
2
同样.由 个负离子中取出 个负离子形成 个空位的可能方式数也为
W2
因此,在晶体中形成 对正,负离子空位的可能方式数为
N!
W W1W1 (N n)!n!
与无空位时相比,晶体熵的增量为
S kB1nW 2kB1n
N!
(N n)!n!
N!
,
(N n)!n!
若不考虑空位的出现对离子振动的影响,晶体的自由能
F F0 nE T S F0 nE 2kBT1n
其中F0是只与晶体体积有关的自由能,利用平衡条件
F 0 n T
及斯特林公式1nN! N1nN N N1nN
得
F
E 2kBT N1nN (N n) n1n
n n T
N n
E 2kBT1n 0.
n
n
e E/2kBT. 由此得
N n
由于N n,因此得 n Ne E/2kBT.
6.试求有肖特基缺陷后,上题中的体积的相对变化 V/V.V
为无缺陷时的晶体体积.
[解答]
肖特基缺陷是晶体内部原子跑到晶体表面上,而使原来的位置变成空位,也就是说,肖特基缺陷将引起晶体体积的增大,设每个离子占据体积为v则当出现 n对正、负离子空位时,所增加的体积为 V而晶体原体积为V
2nv.
2Nv.
E/2kBT
由以上两式及上题中的结果n Ne Vn
e E/2kBT. 得VN
7.设NaC1只有肖特基缺陷,在800C时用X射线衍射测定NaC1的离子间距,由此确定的质量密度算得的
分子量为58.430,而用化学方法测定的分子量为58.454.求在800C时缺陷的相对浓度.
[解答]
即使在800C时,晶体是的缺陷数目与正常格点上的原子数目相比也是很少的,因此,在忽略热膨胀的影响的情况下,X 射线测得的离子间距可视为正常离子间的距离,设NaC1晶体的离子间距为d, 则晶格常数为2d,一个晶胞内包含4个 NaC1分子,再设晶体总质量是M,无缺陷时体积为V0有缺陷时体积V,用X射线方法确定的分子质量可表示为