得
01 T
由于铜是面心立方结构,一个晶胞内包4个铜原子,所以
4W 1 4W 1
3 ( 0) 1 T 3
a a
将上式代入(2)式得 u1
kT1n T.
也就是说,若能断定晶体只有肖特基缺陷,只要测得晶体在温度T下的质量密度 ,或者测定出晶体的体膨胀系数为 ,均可求出形成一个肖特基缺陷所需要的能量.
10.有一简单晶格的晶体,原子在间隙位置上的能量比在格点上高出1eV,试求有千分之一的原子变成间隙原
子时的温度 [解答]
将间隙位置数,格点数及原子数三者视为近似相等,并设为N.在 N个子格点中形成n个空位的可能方式数为 W1
N!
.
(N n)!n!N!
(N n)!n!
2
n个填隙原子在N个间隙位置上排列的可能方式数为 W2
因此同时形成n个空们和n个填隙原子的可能方式数为
N!
W W1W2
(N n)!n!
由此导致的晶体的熵的增加量为 S晶体的自由能 F
.
kB1nW 2kB1n
N!
(N )!n!
N!
(N n)!n!
F0 nE T S F0 nE 2kBT1n
式中F0是只与晶体体积有关的自由能,u表示原子位于间隙位置比在正常格点高出的能量,利用平衡条件
F 0 n T
及斯特林公式 nN!
N1nN N N1nN
N n F
得 u 2kT1n 0 B
n n T
n
e u/2kBT. 于是有
N n
n
e u/2kBT 由于实际上N n,因此N
u1
从而得 T .
2kB1n(N/n)
J,kB 1.381*10 23J/K,n 10 3N,
代入上式得 T 840K.
11. AB型离子晶体,只有正负离子空位和A填隙离子三种热缺陷,负电性的正离子空位,其电荷是
vv
由负离子空位的正电荷抵消,还是由间隙正离子的正电荷抵消,取决于(u u ) kBT或vivvi
分别为正负离子空位和正填隙离子的形成能,利用是电性条件证明 ,u ,u (u u ) kBT其中u
将u=1eV=1.602*10
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